晶振外壳规格30X25X12.7厂家讲恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器，都是有源晶振，所以组成的震荡电路都需要电源加入才能工作。在电路设计中，如何正确的选择匹配电路的晶振对成品性能的影响重要。
一、从工作原理上区别：恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提升晶振的相频特性。温补晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶振频的影响，控制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提升频率稳定性。
二、从测量精度上区别：一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性好。
三、从定义上区别：温补晶振即温度补偿晶体振荡器（TCXO），是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温补晶振术语来自石英晶体振荡器的一种补偿方式已达到产品应用方面的精度要求。温补晶振定义是将压电石英晶体原有的物理特性（压电效应下频率随温度成三次曲线变化）通过外围电路逆向改变使得石英晶体原有频率随温度的变化尽可能的变小的一种补偿方式所做的石英晶体振荡器。恒温晶体振荡器简称恒温晶振，英文简称为OCXO（OvenControlledCrystalOscillator），是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到樶小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥“构成的差动串联放大器，来实现温度控制。
陶瓷谐振槽一般具有大的负载电容，因此需要大的电流。相比之下，晶体振荡器模块通常需要10至60mA的电源电流。硅振荡器的电源电流取决于其类型和功能，从几个低频（固定）器件的微安到几个可编程器件的微安不等。低功率硅振荡器，如MAX7375，工作在4兆赫，电流小于2毫安。为了优化应用的时钟源，需要综合考虑以下因素：精度、成本、功耗和环境要求。
晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶体振荡器和陶瓷谐振通道，以及RC（电阻和电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器的结构，适用于晶体振荡器和陶瓷谐振槽。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的百分之5至百分之50范围内变化。然而，其性能受到环境条件和电路元件选择的影响。振荡电路中元器件的选择和电路板的布局应引起重视。在使用中，陶瓷谐振槽和相应的负载电容器须根据的逻辑序列进行优化。高Q值晶体振荡器对放大器的选择不敏感，但在超速时容易产生频率漂移（甚至损坏）。影响振荡器工作的环境因素包括电磁干扰（EMI）、机械振动和冲击、湿度和温度。这些因素会增加输出频率的变化和不稳定性，在某些情况下，会导致振荡器停止振动。
大多数这些问题都可以通过使用振荡器模块来避免。这些模块具有振荡器，提供低电阻方波输出，并能确定在确定条件下工作。常用的两种类型是晶体振荡器模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。晶体振荡器模块提供与离散晶体振荡器相同的精度。硅振荡器的精度不错于离散RC振荡器。在大多数情况下，硅振荡器可以提供与陶瓷谐振通道相同的精度。
选择振荡器时还应考虑功耗。离散振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流和电路内的电容值决定。CMOS放大器的功耗与工作频率成正比，可用功耗电容值表示。例如，HC04逆变门电路的功耗电容为90pF。在4mHz和5V电源下工作时，相当于1.8mA电源电流。增加20pF晶体负载电容器，整个供电电流为2.2mA。
